400层工艺受阻！SK海力士被迫年底量产375层NAND

据报道，SK海力士已完成375层NAND闪存的量产验证，正将清州M15工厂的原产线从176/238/321层升级改造为375层产品产线，计划于2026年底前实现量产。

该产品最初规划为400层架构，受超高层数堆叠的量产工艺限制，最终被迫调整为375层。业内人士透露，后续将依次推出480层、604层产品。

为弥补层数折损，375层产品首次在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代传统钨（W）材料。

这是由于超高层堆叠导致钨基字线电阻激增、信号延迟，且阻挡辅助层占用堆叠空间。钼以更低电阻率和无阻挡层优势，同步提升NAND闪存的读写性能与存储密度。

钼前驱体常温下为固态，对制程管控要求极高。SK海力士评估了泛林集团和东京电子的设备后，最终选定后者的炉式沉积系统。

该方案一次可处理约100片晶圆，在设备成本、场地占用及物料消耗上更具优势。

需要指出的是，三星电子已于2024年4月量产第九代286层V-NAND时，就将钼应用于金属布线环节。

三星规划中的第十代400层以上NAND亦将于2026年下半年推出，钼材料的应用范围正持续扩大。